芝麻信用评估
哥讨论三点哈，1，中芯从来没说自己是7nm哦，出货都是保密出货的，到现在只有那一家矿机厂，所有的消息源头都是拆解的外媒，他们直接把中芯自称的n+2工艺节点称为7nm，通过对比认为中芯n+2相比于台积电n7是像素级复刻(基本都是同一批人主导开发的不难理解)，包括你所说的栅极宽度，晶体管的布置等等二者完全相同，具体除了中芯自己知道到现在还是处于保密状态，官网上也查不到，但是原文作者认为两者性能相当，相关的媒体称之为属于中国人自己的荣耀，2，英特尔的10nm是挺强的，我了解的是强于n7但是弱于N5，但是现在堆叠换密度的大背景下，一个是等效栅极宽度，一个物理栅极宽度，我觉得无可厚非，因为两者都带来了实际晶体管密度和性能的提升，当物理栅极宽度无法继续缩小之后，先进工艺命名回到7nm++++++++我觉得还不如直接等效3nm 2nm，至少在商业上是一个不错的选择，老哥你觉得呢，3，关于你说的实际性能，前面说到只有一家比特币矿机厂作为目前客户，双方都对芯片的代工工艺细节讳莫如深，中芯先进工艺目前恐怕只有中企与相关友好国家敢用，所以GeekBench恐怕还得再等等，在中芯前景不明朗的情况下，等后期通用芯片出来也不迟，理解你说的有实际性能测试之后再狂欢，但是包括英特尔，台积电都认为DUV能实现台积电n5节点类似的性能，只不过是成本取舍罢了，也请不要太悲观。再次向早上的无礼说声抱歉哈。
对不起哈，你提的问题我确实不了解，理解你对过去很多年国内半导体产业横铁不成钢的想法，但是看你说我解决不了问题就解决提出问题的人就莫名有点激动了，再次道歉，刚去研究了一下外媒的原文，可以问一下你的另一个问题，他们通过研究发现中芯的N+2节点和台积电的N7节点有着99%的相似度，所以他们说在物理层面，栅极宽度之类的和台积电N7DUV是基本完全一样的，推测性能可能和n7相比相差不多，所以这个能打消你中芯追赶只是追了个名字的想法吗，还是你会怎么想。
我不说是因为我不知道，看来你有内幕消息？我只知道中芯新工艺一年前保密出货了，7nm（或者是n+1 n+2我记不太清）这还是我看国外媒体拆了矿机之后说的，具体技术细节我也不知道，要不你讲讲中芯n+1 n+2 还有7nm的技术细节？栅极宽度晶体管密度啥的我也挺好奇的，性能取向还是功耗取向，相比于讲技术不想听你扣帽子说我解决提出问题的人，等你回复哈
