缺点就是半导体的通病-生长工艺,现在商用控制价格用的都是外延片,好在有市场就会有进步,但也怕资本把它变成第二个石墨烯,打着高新尖的幌子做智商产品
GaN的禁带宽度为3.4eV,在sp3杂化形成AlGaN/GaN后拥有极高的电子迁移率,负温系数小, 耐高温,功率密度高。半导体专业报道,毕设做的CIGS 铜铟镓硒电池
GaN的禁带宽度为3.4eV,在sp3杂化形成AlGaN/GaN后拥有极高的电子迁移率,负温系数小, 耐高温,功率密度高。半导体专业报道,毕设做的CIGS 铜铟镓硒电池。
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