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电子遂穿是随着制程进步（14nm 以下），浮栅晶体管整体结构缩小，隧穿层相应变薄，导致电子无法有效禁锢在浮栅层中。堆叠层数主要取决于蚀刻技术。长存能赶英超美也是在于先进制程不适用于制造 nand 闪存。

时序 4000；至于能不能 96g 双通道，看主板了。

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问了，无赠品不返现。

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说得玄乎其玄，其实就是将牙膏厂的驱动集成进自家的ssd管理软件中，鼓吹的不过是主机缓存托管技术。至于第二部分，就是s.m.a.r.t（硬盘自检分析报告技术），但凡是个ssd工具箱都有，就是cystaldiskinfo 软件下方的 05、0e之类的数据。

工艺不成熟浮栅晶体管缺陷多关不住电子，一段时间后要么数据蒸发要么读取时需要先纠错重写数据。

简单地理解：将SSD看作主机，没有外缓相当于 cpu（主控）直接读取硬盘数据，有外缓就是 cpu 读取数据时会先让内存去找。倒不是说没有外缓只适合做从盘和游戏盘，确切地说是有外缓更适合做系统盘。

外缓就是内存颗粒，速度比闪存快1-2个数量级。没有外缓只能靠主控内的sram或nvme 1.2标准开始的hmb（从主机内存动态划出1-64m内存）存取FTL映射表，映射表相当于文件的目录索引，标准比例是1:1000。sram的问题是容量太小，你可以将主控看作cpu，sram就是cpu的缓存；hmb的问题则是需要经由cpu传递数据读写取命令，虽然比闪存内读写FTL快，但延迟较外缓高，且空间小，没办法存储完整映射表，大量的随机读写得不断加载文件对应的FTL。至于SLC Cache 跟系统就不大沾边了，系统的固定文件从TLC直读，小部分在使用中会更新的文件才会临时存放在 SLC Cache，如果写入大文件造成ssd出缓，那这部分文件也会被转移进TLC，除非再次更新。

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