芝麻信用评估
西贝来的鹏泰水军么？我跟你说说我用过的三星旗舰，我10年3700入手的三星i9000，当时绝对的安卓旗舰机，用了一个多月后，唯一的感觉就是卡卡卡，不停的杀进程，电话打进来屏幕没反应，无法拉动接听滑块，扣电池重启，真想把那部电子垃圾砸烂。半年以后就彻底弃用。
链接在此：http://news.mydrivers.com/1/243/243221_1.htm
另外，随着闪存的磨损，所需要的ECC错误校验也越来越多，因为错误的发生几率更高了。这对于TLC又是一个麻烦，因为需要纠正的数据比特多达三个。虽然如今的ECC引擎都很强大了，但到使用后期，与其费劲纠正错误，还不如直接废了整个区块。
简单地说，SLC的电压状态最少，可以容忍电压的更大变化，MLC的四种状态也基本可以接受，TLC的八种就太多了，电压可变余地很小。在不清楚确切的所需电压之时，就不得不将同样的电压分成八份(SLC、MLC分别只要两份和四份)。在使用过程中，编程和擦写一个TLC闪存单元所需要的时间也越来越长，最终达到严重影响性能、无法接受的地步，闪存区块也就废了。
硅氧化物损耗得差不多之后，原子键就会断裂，部分电子可能会在穿越过程中被困在氧化物中，导致负电荷积累，使得闪存单元再次编程的时候抵消控制栅极的部分电压。擦写时间也会因此延长，因为在达到何时的电压之前需要更长时间、更高的加压。主控制器是无法改变编程和擦写电压的。如果原本设计的电压值工作异常，主控就会尝试不同的电压，这自然需要时间，也会给硅氧化物带来更多压力。
SLC闪存有0、1两种状态，可以表示1bit数据；MLC闪存有11、10、01、00四种状态，可以表示2bit数据；TLC闪存有111、110、101、100、011、010、001、000八种状态，可以表示3bit数据，说这些和耐用性有什么关系呢？问题在于，闪存单元每次编程或擦除的电子穿越过程都会导致硅氧化物的损耗。这东西本来就只有区区10纳米的厚度，每进行一次电子穿越就会变薄一些。也正因为如此，硅氧化物越来越薄，耐用性自然就更差了。
