1 重建失败的话还可以在降级状态下把数据尽量读取出来然后再重新初始化阵列,就是得准备和数据等大的存储空间来暂存+可能少数文件损失
2 12*10T的R5还是比较有挑战性的,应该不是日常真这么用吧,盘位足够再多一块冗余盘甚至额外热备一块了
8T及以上尚有疑问,毕竟有EFAX系列的例子,按WD自认EFAX SMR分界在6/8T之间,EZAZ系列也可能情况类似,当然也无法完全排除嫌疑
CN106506022A?专利又不表示就能实际做出来,更何况这专利里还圈了一大堆情况进去:从打磨SIM卡到有效封装部分到加厚TF卡厚度
想了想读卡器加SD兼容没多大顾虑,SD联盟有种来咬我……倒是两种卡片物理厚度可能比较麻烦,TF已经1mm不到了,一点点厚度差里要触点要转换,估计得做成卡托/卡贴
由于目前一共8线,应该不是52MHz DDR模式,数据位减半的HS200或者类似于SD的SDR 208MHz吧,以后继续提速的话估计也得加触点,毕竟用卡槽频率不好提,但兼容SIM又要更多触点分裂,UFS看目前设计那么多VSS估计也要加触点
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