是佳能官翻公布的时长表格,那个还是蛮准的,R6 4k60是30分钟过热,休息10分钟后也只能再拍摄10分钟。这个的确是佳能的固件限制,但CMOS的热量并不像芯片那样容易传导出来,所以并不一定外壳不热CMOS就不积热…个人认为佳能如果放宽点限制,比如像a7s3那样可以设置火热温度为“高”,可以延长点时间,但不会太长,毕竟和SONY这种全球化的CMOS垄断供应商比工艺还是差距很大的。a7s3在HK的阳光暴晒下也能挺大约一个小时,的确是非常可怕了,估计这种极限环境下R5R6到不了20分钟。
友情提示:现阶段R6的过热问题比R5更加严重。佳能是真心没优化,当然佳能的CMOS工艺也决定了发热量大一些,不能和科技公司比。。
内存电压1.35左右…我记得有大神测试过这款,内存电压并不是越高越好,这款1.35是最佳电压,1.4以上反而超不上去。你可以试试安全系数比较高的参数:1.35v,3800 18-24-24-25-45,我mem测试无错。不过由于分频(我的CPU早期的体制极差只能到4.0),我现在是1.34v 3400 16-19-19-19-39稳定使用,mem 50%以上无错,懒得继续测试了。
今天刚刚两条到货,b450m mortar上超到3800也没问题啊,只不过我的3600会分频就算了。镁光bdie其实是很能超的,只要你让它的时序放飞自我…这点和三星追求低时序不一样。
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