芝麻信用评估
下潜没问题，只是调音取向很奇怪，除了两头翘之外还有点轻浮的感觉。不是低音浮，是调音浮。加根阻抗线就沉下来了。整个声场都对了
akg n30和n40从素质到做工无可挑剔，降价之后更是超值。觉得声音不对的，换comply试试。akg完全是被硅胶套坑了。哪怕换成哥套也会好很多
按照楼主之前计算的3V压摆下132mA，5V下输出200mA就可以了么？这儿讲输出级的第二个概念，VOH，VOL。VOH就是输出级在最大输出电流的情况下，输出的最高电压和VDD之间的压差，VOL是输出的最低电压和GND之间的压差。你把MOS管的Rds理解为一个负载，有电流当然有压降。我们来翻翻主流功放电路的datasheet，无论TI,Analog,ST，发现了么，普遍的VOH，VOL在1.8V左右，高的可以到2.3V。也就是说当你在5V电源下输出200mA（且不考虑散热），你的输出压摆（好奇怪的词汇，楼主能理解就好）只有5-1.8（VOH）-1.8（VOL）=1.4V。
解决方法很简单，上拉部分两个PMOS并联，等效Rds减半（之前我们说过，你可以把MOS管的Rds理解为一个负载）。这时候VOH减半。N管部份也一样。你的输出电压范围增加到3.2V。不够？继续并联。当然，你的输出级的增益变了，整个电路需要重新调极零点。
而到9V或12V下，为了突破100mA的限制怎么办呢？一样，并联。
首先关于输出管最大电流部分，调用某世界级大厂的工艺参数书，PMOS的输出最大电流是190mA/mm(栅长度）。假设一个输出级的P管W=10mm L=1um，那么他最大可以输出2A电流。这个指标有意义么？没有。这仅仅是Vgs最大情况下MOS输出的Ids饱和电流，并不考虑晶体管密度封装散热等限制。根据管上电压降和power dissipation，这个管子有可能在一秒钟内烧。这时候，你需要去查管子的datasheet，有一个章节叫SOA（安全工作区域）。里面会定义不同VDD和环境温度下，在使用不同散热设备（散热片或风扇）情况下最大输出电流。你会发现同一个管子在5V下可以输出200mA，在9V下只能输出100mA，在36V下只能输出20mA了。超过怎么办？限流，或者烧掉。。。（限流电路是另一个大话题，对音质影响很大，但是又不能没有。。。当然，也可以没有的，寨厂无所不能。。。）
按照楼主之前计算的3V压摆下132mA，5V下输出200mA就可以了么？这儿讲输出级的第二个概念，VOH，VOL。VOH就是输出级在最大输出电流的情况下，输出的最高电压和VDD之间的压差，VOL是输出的最低电压和GND之间的压差。你把MOS管的Rds理解为一个负载，有电流当然有压降。我们来翻翻主流功放电路的datasheet，无论TI,Analog,ST，发现了么，普遍的VOH，VOL在1.8V左右，高的可以到2.3V。也就是说当你在5V电源下输出200mA（且不考虑散热），你的输出压摆（好奇怪的词汇，楼主能理解就好）只有5-1.8（VOH）-1.8（VOL）=1.4V。
解决方法很简单，上拉部分两个PMOS并联，等效Rds减半（之前我们说过，你可以把MOS管的Rds理解为一个负载）。这时候VOH减半。N管部份也一样。你的输出电压范围增加到3.2V。不够？继续并联。当然，你的输出级的增益变了，整个电路需要重新调极零点。
而到9V或12V下，为了突破100mA的限制怎么办呢？一样，并联。
首先关于输出管最大电流部分，调用某世界级大厂的工艺参数书，PMOS的输出最大电流是190mA/mm(栅长度）。假设一个输出级的P管W=10mm L=1um，那么他最大可以输出2A电流。这个指标有意义么？没有。这仅仅是Vgs最大情况下MOS输出的Ids饱和电流，并不考虑晶体管密度封装散热等限制。根据管上电压降和power dissipation，这个管子有可能在一秒钟内烧。这时候，你需要去查管子的datasheet，有一个章节叫SOA（安全工作区域）。里面会定义不同VDD和环境温度下，在使用不同散热设备（散热片或风扇）情况下最大输出电流。你会发现同一个管子在5V下可以输出200mA，在9V下只能输出100mA，在36V下只能输出20mA了。超过怎么办？限流，或者烧掉。。。（限流电路是另一个大话题，对音质影响很大，但是又不能没有。。。当然，也可以没有的，寨厂无所不能。。。）
好吧，估计这个问题大多数发烧友答不出来。毕竟就像吃菜，大家都知道大火爆香的好吃，，至于具体是什么火候，为什么爆香好吃，拜托，又不是人人都是厨子。。。
碰巧，我是功放设计工程师。我来回答吧。
我们不谈其他所有，包括信噪比，动态，瞬态，CMRR，PSRR，不然一本书也说不完。我们只谈电流，大信号下的电流，也只谈输出级，回答楼主的问题。
