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三星第五代3D NAND闪存首发Toggle DDR 4.0传输介面，传输速率从上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，较过去64层堆叠的3D NAND闪存而言，足足提升了40%。
在性能和功耗方面，该快闪存储器的电压从1.8V降至1.2V，写入速度也是目前最快的，仅500us，比上一代3D NAND快闪存储器提升了30%，读取速率的回应时间也缩短到 50us。
2018-07-16
三星第五代3D NAND闪存首发Toggle DDR 4.0传输介面，传输速率从上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，较过去64层堆叠的3D NAND闪存而言，足足提升了40%。
在性能和功耗方面，该快闪存储器的电压从1.8V降至1.2V，写入速度也是目前最快的，仅500us，比上一代3D NAND快闪存储器提升了30%，读取速率的回应时间也缩短到 50us。
2018-07-16
