芝麻信用评估
原来技术本源还和长江存储开发人员用的电脑有关啊~~那你要不问下现在几个颗粒厂商的技术本源是怎么算？
哦呦？这会升级到从零研发了？那这可得好好说说：1967年。贝尔实验室江大原（Dawon Kahng，韩裔）和施敏博士（Simon Sze）共同发明了浮栅MOSFET，即所有闪存，EEPROM和EPROM的基础。
1970年。Dove Frohman发明了第一款成功的浮栅型器件——EPROM，通过照射紫外线光擦除，在存储软件中广受欢迎，对英特尔成功推出微处理器非常重要。
1979-81年。Eli Harari，美国闪存存储开发商SanDisk(闪迪)创始人，当时受聘于英特尔，发明了世界上首个电可编程和可擦除存储器——EEPROM，并展望了浮栅的未来愿景——取代磁盘，但提案被当时的英特尔CEO Andy grove否决。
1984年。闪存之父Fujio Masuoka博士在东芝时提交了一份关于浮栅新用途的行业白皮书，整个芯片的内容都可以在相机的闪光（flash）的瞬间被擦除。之后Masuoka博士在圣何塞举行的IEEE 1984综合电子设备大会上正式介绍了闪存（Flash Memory）。1986年，英特尔推出了闪存卡概念，并且成立了专注于SSD的部门。
按照你的从零开始，我稍微给降低点难度，贝尔、牙膏厂、东芝，你准备选哪个作为可以拥有从零开始资格的厂商？
哎~~~难道那位值友又拿出了什么证据？人家就说了是买的，人家也没拿出证据啊？你怎么就信？我好歹还拿出来一个证据证明买专利的是合肥长鑫，而且买的是dram专利，你怎么不信我？再说了，人家西方媒体天天说抄袭，这么好的料怎么不说了？西方厂商专利壁垒这么多怎么也不见拿个专利棒子往长江存储头上敲？说什么经验，不过是西方技术思想钢印罢了。
还有弯道超车，怎么就弯道超车了？7400太高了？那6400？还是5400？或者3400？或者你说下你的心里国产就配只有什么速度，我好研究研究你这思想钢印的刻印深度~
你不用扯那么多哲学的东西，约扯只能说明你越心虚，问题很简单，同样都是值友一句话，你怎么就信他不信我？哦~对了，我还不止一句话，我还有证据证明合肥长鑫才是奇梦达技术的购买者，而且买的是dram技术。
又来了，“有DRAM那么一般情况下都可以直接生产NAND，而且也的确是这样，这就是经验而来”，你这说法就像是我AMD既能造CPU也能造自行车，所以购买了我的X86专利，就能用这专利的技术造自行车了，扯吗？这就是你逻辑，谁要改变你的思维啊？我从来就没想着要说服你，我只是让广大的值友看清楚你的逻辑漏洞而已，让广大的值友看看到底一个被西方思想钢印盖过的人能扭曲成什么样。再
我已经说了很多次了，谁提出谁举证，那么长江存储用奇梦达技术是谁说的？你说是值友说的，好了，我说长江存储是自研技术，那你怎么不接受我的说法？我这可是直接有证据证明合肥长鑫才是奇梦达技术的购买者，而且买的是dram技术，你说一千道一万，你有长江储存直接从奇梦达买到闪存颗粒技术的证据吗？你根本没有直接证据证明长江储存直接从奇梦达买到闪存颗粒技术，说白了你不过就是怀疑，那么问题来了，你为什么这么容易怀疑？我看西方技术第一的种族主义思想钢印盖得太深，自卑心理过于严重才是主因。
顺便说一句，你所谓的出自国器CountChine的“有DRAM的技术的确可以生产储存颗粒”我还真去看了，《仅两年量产19nm内存，打破美韩技术垄断，中国长鑫的芯片破局之路》这一期是不是？原文是啥？我把上下文给你补齐：
储存业界有一句话，能生产dram内存的一定能生产nand颗粒，可见dram的研发难度要更高一些。
到你这里这句话的意思就变成“有DRAM的技术的确可以生产储存颗粒”了？我有实力在高难度的卷子考100分，所以低难度的卷子我肯定做得出来，是不是意味着只要把高难度的卷子答案直接往低难度卷子上抄就肯定对？脑补不是好习惯！
第一，你借用其他人的话，为什么不见你借用我的话？我记得@tony1985dddf这位也自称参与SSD研发，你怎么不借用？我看是某些人的话刚好符合你的想法吧？扯东扯西了一大堆，结果论据还建立在别人的话上，那你是什么？
第二，谁提出谁举证这么简单的你不懂？你自己提出的“有DRAM的技术的确可以生产储存颗粒”，在自己证实前先来要我证伪？
